Транзистор N-MOS IRLML0040 средней мощности низковольтный Комплементарная пара: нет
The FDV303N from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V.
МОП-транзистор MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 40 В; Rси(вкл): 10 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 8 В; Qзатв: 69 нКл
MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током.
МОП-транзистор N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5