Транзистор IXFN180N20

Категория продукта:    МОП-транзистор    
Производитель:    IXYS    
RoHS:    Соответствует RoHS Подробности    
Технология:    Si    
Вид монтажа:    Chassis Mount    
Упаковка / блок:    SOT-227-4    
Количество каналов:    1 Channel    
Полярность транзистора:    N-Channel    
Vds - напряжение пробоя сток-исток:    200 V    
Id - непрерывный ток утечки:    180 A    
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:    6 mOhms    
Vgs - напряжение затвор-исток:    20 V    
Минимальная рабочая температура:    - 55 C    
Максимальная рабочая температура:    + 150 C    
Упаковка:    Tube    
Канальный режим:    Enhancement    
Коммерческое обозначение:    HyperFET    
Торговая марка:    IXYS    
Конфигурация:    Single Dual Source    
Время спада:    56 ns    
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:    80 S    
Высота:    9.6 mm    
Длина:    38.23 mm    
Pd - рассеивание мощности:    700 W    
Время нарастания:    85 ns    
Серия:    IXFN180N20    
Размер фабричной упаковки:    10    
Тип транзистора:    1 N-Channel    
Типичное время задержки выключения:    180 ns    
Типичное время задержки при включении:    55 ns    
Ширина:    25.42 mm    
Вес изделия:    38 g