Транзисторный модуль IXEN60N120 Увеличить

Транзисторный модуль IXA60IF1200NA

1216

Новый товар

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack

Подробнее

Этого товара нет в наличии

1 262 руб С НДС

Характеристики

Тип корпуса SOT-227B-4
Шкаф 02
Бокс XXX

Описание

Категория продукта:    Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)    
Производитель:    IXYS    
RoHS:    Соответствует RoHS Подробности    
Продукт:    IGBT Silicon Modules    
Конфигурация:    Single    
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:    1200 V    
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:    1.8 V    
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:    88 A    
Ток утечки затвор-эмиттер:    500 nA    
Pd - рассеивание мощности:    290 W    
Упаковка / блок:    SOT-227B-4    
Максимальная рабочая температура:    + 150 C    
Упаковка:    Tube    
Торговая марка:    IXYS    
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:    20 V    
Минимальная рабочая температура:    - 55 C    
Вид монтажа:    SMD/SMT    
Серия:    IXA60IF1200NA    
Размер фабричной упаковки:    10    
Коммерческое обозначение:    XPT    
Вес изделия:    38 g

Скачать