Транзистор IRF9333PBF

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Код: 1831077

скрыть текст
Технические параметры

Структура    p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В    -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А    -9.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В    ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм    32.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт    2.5
Крутизна характеристики, S    13
Корпус    so8
Особенности    быстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе    -2.4