Транзистор IXFN180N10 Увеличить

Транзистор IXFN180N10

716

Новый товар

МОП-транзистор 180 Amps 100V 0.008 Rds

Подробнее

Этого товара нет в наличии

1 475 руб С НДС

Характеристики

Тип корпуса SOT-227-4
Шкаф 01
Бокс 07
Ячейка 05

Описание

Категория продукта: МОП-транзистор
Производитель: IXYS
RoHS: Соответствует RoHS Подробности
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-227-4
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V
Id - непрерывный ток утечки: 180 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 8 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Упаковка: Tube
Канальный режим: Enhancement
Торговая марка: IXYS
Конфигурация: Single Dual Source
Время спада: 65 ns
Высота: 9.6 mm
Длина: 38.23 mm
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Время нарастания: 90 ns
Серия: IXFN180N10
Размер фабричной упаковки: 10
Коммерческое обозначение: HyperFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 140 ns
Типичное время задержки при включении: 50 ns
Ширина: 25.42 mm
Вес изделия: 38 g

Скачать