697
Новый товар
МОП-транзистор 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC
37 Шт. шт.
Внимание: ограниченное количество товара в наличии!
Будет доступен:
Тип корпуса | SOIC-8 |
Шкаф | 01 |
Бокс | 02 |
Ячейка | 07 |
Категория продукта: МОП-транзистор
Производитель: Infineon
RoHS: Соответствует RoHS Подробности
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOIC-8
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: - 30 V
Id - непрерывный ток утечки: - 4.6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 130 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
Qg - заряд затвора: 27 nC
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Упаковка: Tube
Канальный режим: Enhancement
Торговая марка: Infineon Technologies
Конфигурация: Single Quad Drain Triple Source
Время спада: 71 ns
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Время нарастания: 21 ns
Размер фабричной упаковки: 95
Тип транзистора: 1 P-Channel
Тип: HEXFET Power MOSFET
Типичное время задержки выключения: 97 ns
Типичное время задержки при включении: 14 ns
Вес изделия: 540 mg