608
Новый товар
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET
12 Шт. шт.
Внимание: ограниченное количество товара в наличии!
Будет доступен:
Тип корпуса | SO-8 |
Шкаф | 01 |
Бокс | 07 |
Ячейка | 02 |
Транзистор IRF9389
Тип N+P
Vds, V 30
Vgs, V 20.0
Idr, A 6.80000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W 2.000
t min, °C
t max, °C 150
Rth, C 62.500
Rds, Ohm 0.02700
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC 6.80
Qgs, nC
Qgd, nC 2.10
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпуса SO-8