Увеличить

Транзистор IRFR5410

Артикул 565

Состояние: Новый товар

MOSFET транзистор - [TO-252-3]; Тип: P; Uси: 100 В; Iс(25°C): 13 А; Rси(вкл): 0.205 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В

Подробнее

3 Шт. шт.

Печать

Характеристики

Шкаф	01
Бокс	07
Ячейка	07

Описание

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 13A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 25V
Power - Max 66W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak